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Jean HOERNI La
technologie Planar
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Après ses études en Suisse et en
Angleterre Hoerni rejoint
Shockley au Etats Unis en 1956 puis est entré
chez Fairchild l'année suivante où il a mis au point la technologie
planar dés 1957, la technologie fut pleinement
opérationnelle en 1959. La technique planar ( à plat) consiste à protéger
le substrat d'une couche d'oxyde de silicium thermique (Si O2 silice)
et ouvrir des fenêtres dans cet oxyde aux endroits devant recevoir le dopant par
diffusion. Ainsi protégé de la pollution le composant au final donne de très
bons résultats. Cette technologie remplaça rapidement toutes les autres dans le
domaine des transistors bipolaires et la fabrication des autres types de
transistors s'en inspirèrent.
La technologie planar va permettre à Kilby et Noyce de poursuivre leur chemin dans la conception des circuits intégrés. | |||||
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